SJ/T 1838-2016 Diskrete Halbleiterbauelemente 3DK29 Typ NPN Silizium-Schalttransistor mit niedriger Leistung Detaillierte Spezifikation

Normennummer: SJ/T 1838-2016(SJ/T1838-2016)
Chinesisch:半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
Deutsch:Diskrete Halbleiterbauelemente 3DK29 Typ NPN Silizium-Schalttransistor mit niedriger Leistung Detaillierte Spezifikation

Wirksamkeitsdatum:2016-09-01
Standardanwendbarkeit:

Als PDF herunterladbar: N