SJ/T 1830-2016 Diskrete Halbleiterbauelemente 3DK101 Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit niedriger Leistung Detaillierte Spezifikation

Normennummer: SJ/T 1830-2016(SJ/T1830-2016)
Chinesisch:半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
Deutsch:Diskrete Halbleiterbauelemente 3DK101 Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit niedriger Leistung Detaillierte Spezifikation

Wirksamkeitsdatum:2016-09-01
Standardanwendbarkeit:

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